Web本发明提供了一种半导体装置，其包含半导体层，设置于基底上方；掺杂区，设置于半导体层中；元件区，设置于掺杂区上，包含源极、漏极和栅极；第一隔离结构，设置于半导体层中且环绕掺杂区；第二隔离结构，环绕第一隔离结构且与第一隔离结构隔开；以及端子，设置于第一隔离结构和第二 ... WebHalo结构能够有效抑制短沟效应，合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能。 在对Halo注入条件进行优化的过程中，不仅考虑了Halo注入倾角和注入能量对器件常温特性和高低温特性的影响，还考虑到工艺波动，比较了多晶条宽变化对器件参数的影响。

从器件物理层面看MOSFET的内部结构 - The Pisces - 博客园

Web版图 Poly 层定位 poly 及 gate，不过在形成 channel(沟道)之前，必须生长出一层 优质的氧化层，这一层的厚度约 30-120A，可能实际测量出来只有十几埃。 在这 一层上以 LPCVD 沉积多晶硅约 0.5um，并对 poly 掺杂 P/30/5x10^15。 http://www.kiaic.com/article/detail/224.html casio cw-100 ディスクタイトルプリンター

一种改善器件性能的Halo工艺_参考网

WebIt natively comes with conventional UT, TOFD and all beam-forming phased array UT … http://www.kiaic.com/article/detail/2273.html WebSIPOS (Semi-Insulating Polycrystalline Silicon) is a Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) process for the deposition of high resistivity polysilicon layers, which are primarily used in the fabrication of high voltage semiconductor devices. SIPOS films overcome the disadvantages of SiO 2 films, such as accumulation of fixed ions and ... casio ct-840 自動演奏 アニメーション